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薄膜
衬底温度对电子束沉积ZnSe薄膜性能影响研究
下载:584次
赵广宇
徐莉
范杰
张家斌
[ ... ]
马晓辉
作者单位
摘要
长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022
为了研究衬底温度对硒化锌薄膜微观结构和光学特性的影响,采用电子束蒸发技术在K9玻璃基底上制备了单层的硒化锌薄膜。通过研究薄膜的X射线衍射谱、透射光谱特性、表面形貌及粗糙度,分析了不同衬底温度下薄膜微观晶体结构和光学特性的变化规律。实验结果表明:在20~200℃的衬底温度范围内制备的ZnSe薄膜均为具有(111)晶面择优取向的纳米晶薄膜,随着衬底温度升高,基片上原子获得的动能增加,导致薄膜的晶粒尺寸变大、内应力和位错密度降低;同样在不同衬底温度下,薄膜的光学特性也不尽相同,随着衬底温度的升高,折射率和消光系数减小、光学带隙增加、薄膜的表面粗糙度降低。分析表明折射率下降是薄膜中空隙部分所占比例增加所致,而消光系数的下降是薄膜结晶度提高,内部缺陷减少造成的。
ZnSe薄膜
衬底温度
电子束蒸发
微观结构
光学特性
ZnSe thin films
Substrate temperature
Electron beam evaporation
Microstructure
Optical properties
PDF全文
Full Text
光子学报
2021, 50(6): 209
Thin films
Effect of annealing on the damage threshold and optical properties of HfO
2
/Ta
2
O
5
/SiO
2
high-reflection film
Download:959次
Jianing Dong
Jie Fan
*
Sida Mao
Yunping Lan
[ ... ]
Xiaohui Ma
Author Affiliations
Abstract
State Key Laboratory of High-Power Semiconductor Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China
The effect of thermal annealing on the optical properties, microstructure, and laser-induced damage threshold (LIDT) of HfO
2
/Ta
2
O
5
/SiO
2
HR films has been investigated. The transmission spectra shift to a short wavelength and the X-ray diffraction peaks of monoclinic structure HfO
2
are enhanced after thermal annealing. The calculated results of the m( 111) diffraction peak show that the HfO
2
grain size is increased, which is conducive to increasing the thermal conductivity. Thermal annealing also reduces the laser absorption of high-reflection films. The improvement of thermal conductivity and the decrease of laser absorption both contribute to the improvement of LIDT. The experimental results show that the highest LIDT of 22.4 J/cm
2
is obtained at 300°C annealing temperature. With the further increase of annealing temperature, the damage changes from thermal stress damage to thermal explosion damage, resulting in the decrease of LIDT.
310.1620
Interference coatings
310.4165
Multilayer design
310.4925
Other properties (stress, chemical,etc.)
PDF全文
Full Text
Chinese Optics Letters
2019, 17(11): 113101
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